SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SI4800BDY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4800BDY-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 6.5 A (Ta) 1.3W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18.5mOhm a 9A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1.8V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±25V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 1.3W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.5 A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SI4800

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (3)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SI4178DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6.705	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	0,92000 €	MFR recomendado
FDS8884	onsemi	10	FDS8884CT-ND	0,82000 €	Similar
STS10N3LH5	STMicroelectronics	1.933	497-10010-1-ND	1,39000 €	Similar

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Precio unitario con IVA:	1,51250 €

SI4800BDY-T1-GE3