
SI3460DDV-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI3460DDV-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP |
Plazo estándar del fabricante | 8 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) 6-TSOP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI3460DDV-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 28mOhm a 5.1A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 18 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 666 pF @ 10 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 0,39000 € | 0,39 € |
10 | 0,23800 € | 2,38 € |
100 | 0,15830 € | 15,83 € |
500 | 0,15678 € | 78,39 € |
1.000 | 0,14063 € | 140,63 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,13062 € | 391,86 € |
6.000 | 0,11375 € | 682,50 € |
9.000 | 0,09800 € | 882,00 € |
15.000 | 0,09650 € | 1.447,50 € |
Precio unitario sin IVA: | 0,39000 € |
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Precio unitario con IVA: | 0,47190 € |