Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6819 EUR
Availability: InStock

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SI2325DS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2325DS-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	63 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 750mW (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 530mA (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base SI2325
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 500mA, 10V