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SI2308BDS-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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SI2308BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI2308BDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2308BDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2308BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2308BDS-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) SOT-23-3 (TO-236) |
Modelos EDA/CAD | SI2308BDS-T1-GE3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.8 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 190 pF @ 30 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 156mOhm a 1.9A, 10V |
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Preguntas y respuestas sobre el producto
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2308BDS-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 10 | 742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND | 0,74000 € | Directo |
| SI2308CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 1.247 | SI2308CDS-T1-GE3CT-ND | 0,47000 € | MFR recomendado |
| AO3422 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 725.073 | 785-1015-1-ND | 0,53000 € | Similar |
| NTR5198NLT1G | onsemi | 38.338 | NTR5198NLT1GOSCT-ND | 0,38000 € | Similar |
| PJA3460_R1_00001 | Panjit International Inc. | 24.849 | 3757-PJA3460_R1_00001CT-ND | 0,27000 € | Similar |
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