
MXP120A080FW-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-MXP120A080FW-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | MXP120A080FW-GE3 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 33 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 29A (Tc) 139W (Tc) TO-247-3L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | MXP120A080FW-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V, 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 100mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.69V a 5mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 47.3 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1156 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 139W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3L | |
Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 8,79000 € | 8,79 € |
| 10 | 6,86600 € | 68,66 € |
| 25 | 6,38440 € | 159,61 € |
| 100 | 5,85440 € | 585,44 € |
| 250 | 5,60172 € | 1.400,43 € |
| Precio unitario sin IVA: | 8,79000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 10,63590 € |

