Name: IRFL110TRPBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRFL110TRPBF-BE3TR-ND
Price: 2.4321 EUR
Availability: OutOfStock

IRFL110TRPBF-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-IRFL110TRPBF-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-IRFL110TRPBF-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-IRFL110TRPBF-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRFL110TRPBF-BE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Plazo estándar del fabricante	37 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) SOT-223
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	540mOhm a 900mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	180 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	IRFL110

Precio unitario sin IVA:	2,01000 €
Precio unitario con IVA:	2,43210 €

IRFL110TRPBF-BE3