Name: SIHFL110TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL110TR-GE3TR-ND
Price: 0.9922 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SIHFL110TR-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHFL110TR-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIHFL110TR-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIHFL110TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHFL110TR-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Plazo estándar del fabricante	31 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 1.5H (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) SOT-223
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.5H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 540mOhm a 900mA, 10V	Número de producto base SIHFL110

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SIHFL110TR-BE3	Vishay Siliconix	1	742-SIHFL110TR-BE3CT-ND	0,82000 €	Directo

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