Name: VS-50MT060PHTAPBF
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Price: 76.1695 EUR
Availability: InStock

IGBT Módulo Parada de campo de trinchera Medio puente 600 V 121 A 305 W Orificio pasante 12-MTP

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VS-50MT060PHTAPBF
N.º de producto de DigiKey	112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza del fabricante	VS-50MT060PHTAPBF
Descripción	IGBT MOD 600V 121A 305W 12-MTP
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Módulo Parada de campo de trinchera Medio puente 600 V 121 A 305 W Orificio pasante 12-MTP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT Módulos IGBT	Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 1.64V a 15V, 50A
Fabricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Corriente - Corte de colector (Máx.) 100 µA
Serie HEXFRED®	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce 6000 pF @ 25 V
Embalaje Granel	Entrada Estándar
Estado de pieza Activo	Termistor NTC Sí
Tipo IGBT Parada de campo de trinchera	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Medio puente	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 600 V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo 12-MTP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 121 A	Paquete del dispositivo del proveedor 12-MTP
Potencia - Máx. 305 W	Número de producto base 50MT060