Name: TW140N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW140N120CS1F-ND
Price: 13.9997 EUR
Availability: InStock

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TW140N120C,S1F
N.º de producto de DigiKey	264-TW140N120CS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW140N120C,S1F
Descripción	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 20A (Tc) 107W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	182mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	691 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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