Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 17.0126 EUR
Availability: InStock

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TW083N65C,S1F
N.º de producto de DigiKey	264-TW083N65CS1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW083N65C,S1F
Descripción	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	113mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	873 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	111W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	14,06000 €	14,06 €
30	8,70067 €	261,02 €
120	7,79383 €	935,26 €

Paquete estándar del fabricante

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