Name: TW070J120B,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW070J120BS1Q-ND
Price: 25.33934 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) TO-3P(N)

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TW070J120B,S1Q
N.º de producto de DigiKey	264-TW070J120BS1Q-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW070J120B,S1Q
Descripción	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) TO-3P(N)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TW070J120B,S1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.8V a 20mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 67 nC @ 20 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) ±25V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1680 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 272W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 36A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 90mOhm a 18A, 20V	Número de producto base TW070J120

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25	20,94160 €	523,54 €

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Precio unitario con IVA:	25,33934 €

TW070J120B,S1Q

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