Canal N Orificio pasante 650 V 58A (Tc) 156W (Tc) TO-247
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Canal N Orificio pasante 650 V 58A (Tc) 156W (Tc) TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW027N65C,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TW027N65CS1F-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
TW027N65C,S1F
Descripción
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 58A (Tc) 156W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 3mA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
65 nC @ 18 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2288 pF @ 400 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
156W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
37mOhm a 29A, 18V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
En stock: 4
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Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
125,59000 €25,59 €
3016,57000 €497,10 €
12014,81058 €1.777,27 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:25,59000 €
Precio unitario con IVA:30,96390 €