Name: TW015Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015Z120C,S1F-ND
Price: 74.7175 EUR
Availability: InStock

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TW015Z120C,S1F
N.º de producto de DigiKey	264-TW015Z120C,S1F-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TW015Z120C,S1F
Descripción	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) TO-247-4L(X)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	21mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 11.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	158 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6000 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	431W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L(X)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	61,75000 €	61,75 €
30	49,45300 €	1.483,59 €

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