Canal N Orificio pasante 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) TO-247
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
Canal N Orificio pasante 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N120C,S1F

N.º de producto de DigiKey
264-TW015N120CS1F-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
TW015N120C,S1F
Descripción
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Plazo estándar del fabricante
24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TW015N120C,S1F Modelos
Atributos del producto
Filtrar productos similares
Mostrar atributos vacíos
Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 11.7mA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
158 nC @ 18 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6000 pF @ 800 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
431W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
20mOhm a 50A, 18V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
En stock: 48
Comprobar si hay stock entrante adicional
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
172,55000 €72,55 €
3053,55533 €1.606,66 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:72,55000 €
Precio unitario con IVA:87,78550 €