Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 1.5367 EUR
Availability: InStock

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TPN1600ANH,L1Q
N.º de producto de DigiKey	TPN1600ANHL1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Cinta cortada (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPN1600ANH,L1Q
Descripción	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPN1600ANH,L1Q Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 200µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.1x3.1)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TPN1600
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 8.5A, 10V