Name: TPH9R506PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R506PLLQTR-ND
Price: 1.5609 EUR
Availability: InStock

TPH9R506PL,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPH9R506PLLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH9R506PLLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH9R506PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH9R506PL,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 34A (Tc) 830mW (Ta), 81W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1910 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	830mW (Ta), 81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	TPH9R506

Precio unitario sin IVA:	1,29000 €
Precio unitario con IVA:	1,56090 €

TPH9R506PL,LQ