Name: IXTP3N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP3N100D2-ND
Price: 5.7838 EUR
Availability: InStock

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IXTP3N100D2
N.º de producto de DigiKey	238-IXTP3N100D2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTP3N100D2
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Orificio pasante 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	Depletion
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5Ohm a 1.5A, 0V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	37.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1020 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IXTP3

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	4,78000 €	4,78 €
50	2,50740 €	125,37 €
100	2,28750 €	228,75 €
500	1,90258 €	951,29 €
1.000	1,81323 €	1.813,23 €

Paquete estándar del fabricante

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