Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 2.6499 EUR
Availability: InStock

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TPH3R10AQM,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH3R10AQM,LQ
Descripción	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH3R10AQM,LQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 83 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7400 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 210W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5.75)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.1mOhm a 50A, 10V	Número de producto base TPH3R10