Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 2.5168 EUR
Availability: OutOfStock

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TPH3R10AQM,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH3R10AQM,LQ
Descripción	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH3R10AQM,LQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.1mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7400 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	TPH3R10