Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 7.9134 EUR
Availability: InStock

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TK31V60X,LQ
N.º de producto de DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK31V60XLQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK31V60X,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK31V60X,LQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1.5mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV-H	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000 pF @ 300 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 240W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor 4-DFN-EP (8x8)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30.8A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 4-VSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TK31V60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 98mOhm a 9.4A, 10V