Name: SSM6K809R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K809R,LFTR-ND
Price: 0.8107 EUR
Availability: InStock

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SSM6K809R,LF
N.º de producto de DigiKey	264-SSM6K809R,LFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM6K809R,LFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM6K809R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6K809R,LF
Descripción	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 6A (Ta) 1.5W (Ta) 6-TSOP-F
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	36mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	550 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP-F
Paquete / Caja (carcasa)	6-SMD, conductores planos
Número de producto base	SSM6K809

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Cinta y rollo (TR)