Name: 2SK2009TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2009TE85LFTR-ND
Price: 0.8591 EUR
Availability: InStock

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2SK2009TE85LF
N.º de producto de DigiKey	2SK2009TE85LFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 2SK2009TE85LFCT-ND - Cinta cortada (CT) 2SK2009TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	2SK2009TE85LF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) SC-59-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2Ohm a 50mA, 2.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 100µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	70 pF @ 3 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-59-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	2SK2009