200mA (Ta) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	130.588 En stock	1 : 0,11000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,01928 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1.186.501 En stock	1 : 0,13000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02542 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	247.875 En stock	1 : 0,17000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02279 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 100mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	219.939 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02980 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	113.888 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03068 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	377.624 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02892 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	101.387 En stock	1 : 0,25000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05259 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	407.171 En stock	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 8.000 : 0,03681 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 200mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	646.364 En stock	1 : 0,30000 € Cinta cortada (CT) 8.000 : 0,04709 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
2N7000 MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C onsemi	54.317 En stock	1 : 0,43000 € Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TN2404K-T1-E3 MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 Vishay Siliconix	10.713 En stock	1 : 0,58000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,28539 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	200mA (Ta)	2.5V, 10V	4Ohm a 300mA, 10V	2V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	-	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS192,115 MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Nexperia USA Inc.	10.110 En stock	1 : 0,58000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 0,17053 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	240 V	200mA (Ta)	10V	12Ohm a 200mA, 10V	2.8V a 1mA	-	±20V	90 pF @ 25 V	-	560mW (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-89	TO-243AA
ZVN4106FTA MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	9.295 En stock 240.000 Fábrica	1 : 0,74000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,18358 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	5V, 10V	2.5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	35 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3545N8-G MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Microchip Technology	18.856 En stock	1 : 0,85000 € Cinta cortada (CT) 2.000 : 0,64448 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	450 V	200mA (Ta)	0V	20Ohm a 150mA, 0V	-	-	±20V	360 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-243AA (SOT-89)	TO-243AA
BSS138Q-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	10.307 En stock 927.000 Fábrica	1 : 0,14000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02629 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138AKAR MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Nexperia USA Inc.	7.645 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02629 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	10V	4.5Ohm a 100mA, 10V	1.5V a 250mA	0.51 nC @ 4.5 V	±20V	47 pF @ 30 V	-	300mW (Ta), 1.06W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138L MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	81.735 En stock 48.000 Fábrica	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03068 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	2.75V, 5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX3020NAK,215 MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB Nexperia USA Inc.	79.875 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02104 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	200mA (Ta)	2.5V, 10V	4.5Ohm a 100mA, 10V	1.5V a 250µA	0.44 nC @ 4.5 V	±20V	13 pF @ 10 V	-	300mW (Ta), 1.06W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7000 MOSFET TO-92 60V 0.2A Diotec Semiconductor	79.392 En stock	4.000 : 0,03857 € Cinta y caja 1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT)	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
RUC002N05HZGT116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	50.230 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03155 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	-	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT3G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	59.147 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,03243 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies	4.860 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,02892 € Cinta y rollo (TR)	SIPMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	1.8V a 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1C002ZPTCL MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	134.094 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03481 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85
NX3008PBKW,115 MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323 Nexperia USA Inc.	13.191 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03788 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	200mA (Ta)	2.5V, 4.5V	4.1Ohm a 200mA, 4.5V	1.1V a 250µA	0.72 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 15 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
SN7002IXTSA1 SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Infineon Technologies	7.138 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03769 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	1.8V a 26µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

200mA (Ta) FET simple, MOSFET

200mA (Ta) FET simple, MOSFET

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