
STW26N60M2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | STW26N60M2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STW26N60M2 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 20H (Tc) 169W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STW26N60M2 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1360 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 169W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 165mOhm a 10A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | 6,35000 € | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 9,05000 € | Similar |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | 6,16000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,76000 € | 3,76 € |
| 10 | 2,47200 € | 24,72 € |
| 100 | 1,74130 € | 174,13 € |
| 600 | 1,40113 € | 840,68 € |
| 1.200 | 1,30540 € | 1.566,48 € |
| 2.400 | 1,22494 € | 2.939,86 € |
| 5.400 | 1,20335 € | 6.498,09 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,76000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,54960 € |

