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Canal N Orificio pasante 850 V 19A (Tc) 250W (Tc) TO-247-3
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STW23N85K5

N.º de producto de DigiKey
497-14581-5-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STW23N85K5
Descripción
MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Plazo estándar del fabricante
20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 850 V 19A (Tc) 250W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STW23N85K5 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH5™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
850 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
19A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
275mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1650 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
STW23
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Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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Precio unitario con IVA:7,92550 €