Name: STB12NK80ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-4320-2-ND
Price: 6.4251 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

STB12NK80ZT4
N.º de producto de DigiKey	497-4320-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-4320-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-4320-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB12NK80ZT4
Descripción	MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 10.5A (Tc) 190W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB12NK80ZT4 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 100µA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie SuperMESH™	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2620 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 190W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10.5A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base STB12N
Rds On (máx) @ Id, Vgs 750mOhm a 5.25A, 10V