Name: STB11NM80T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB11NM80T4TR-ND
Price: 8.6273 EUR
Availability: InStock

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STB11NM80T4
N.º de producto de DigiKey	497-STB11NM80T4TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STB11NM80T4CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STB11NM80T4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB11NM80T4
Descripción	MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB11NM80T4 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	400mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1630 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB11

Precio unitario sin IVA:	7,13000 €
Precio unitario con IVA:	8,62730 €

STB11NM80T4