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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SCTWA60N120G2-4 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SCTWA60N120G2-4 |
Descripción | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) TO-247-4 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SCTWA60N120G2-4 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Última compra | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 52mOhm a 30A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 94 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1969 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 388W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-4 | |
Paquete / Caja (carcasa) |
En stock: 229
Comprobar si hay stock entrante adicional
Fecha de la última compra: 15/2/2026
Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 15,26000 € | 15,26 € |
| 10 | 12,13300 € | 121,33 € |
| 30 | 11,21867 € | 336,56 € |
| 120 | 10,40183 € | 1.248,22 € |
| 270 | 10,05237 € | 2.714,14 € |
| 510 | 9,82890 € | 5.012,74 € |
| Precio unitario sin IVA: | 15,26000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 18,46460 € |
España