SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics | FET simple, MOSFET

SCTWA60N120G2-4
N.º de producto de DigiKey	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCTWA60N120G2-4
Descripción	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCTWA60N120G2-4 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1969 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	388W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Precio unitario sin IVA:	15,21000 €
Precio unitario con IVA:	18,40410 €

SCTWA60N120G2-4