Name: SCTW35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW35N65G2V-ND
Price: 7.58334 EUR
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Carreras profesionales Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

(+34) 960 029 708 spain.support@digikey.com

SCTW35N65G2V
N.º de producto de DigiKey	497-SCTW35N65G2V-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCTW35N65G2V
Descripción	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) HiP247™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCTW35N65G2V Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	45A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	67mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1370 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	HiP247™
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	SCTW35

Precio unitario sin IVA:	6,26722 €
Precio unitario con IVA:	7,58334 €

SCTW35N65G2V