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SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SCTW100N65G2AG |
Descripción | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 100H (Tc) 420W (Tc) HiP247™ |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SCTW100N65G2AG Modelos |
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 162 nC @ 18 V |
Fabricante | Vgs (máx.) +22V, -10V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3315 pF @ 520 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 420W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tecnología | Grado Uso automotriz |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Calificación AEC-Q101 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™ |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 26mOhm a 50A, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 5mA | Número de producto base |
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Sustitutos (3)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | 15,32000 € | Similar |
| SCT3022ALGC11 | Rohm Semiconductor | 1.150 | SCT3022ALGC11-ND | 45,41000 € | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 13,30000 € | Similar |
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