SCT50N120 STMicroelectronics | FET simple, MOSFET

Canal N Orificio pasante 1200 V 65H (Tc) 318W (Tc) HiP247™

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SCT50N120
N.º de producto de DigiKey	497-16598-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT50N120
Descripción	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 65H (Tc) 318W (Tc) HiP247™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT50N120 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC @ 20 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +25V, -10V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 318W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 65H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 69mOhm a 40A, 20V	Número de producto base SCT50

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
MSC040SMA120B	Microchip Technology	3	MSC040SMA120B-ND	20,76000 €	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	25,14000 €	25,14 €
30	16,24567 €	487,37 €

Paquete estándar del fabricante

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Precio unitario sin IVA:	25,14000 €
Precio unitario con IVA:	30,41940 €

SCT50N120

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