Name: SCT040W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040W120G3-4-ND
Price: 16.456 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT040W120G3-4
N.º de producto de DigiKey	497-SCT040W120G3-4-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT040W120G3-4
Descripción	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 40A (Tc) 312W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	*
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	54mOhm a 16A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1329 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	SCT040

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	13,60000 €	13,60 €
30	8,36900 €	251,07 €
120	7,22300 €	866,76 €
510	7,17898 €	3.661,28 €

Paquete estándar del fabricante

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