Name: SCT018H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT018H65G3AGTR-ND
Price: 20.0739 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SCT018H65G3AG
N.º de producto de DigiKey	497-SCT018H65G3AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCT018H65G3AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCT018H65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT018H65G3AG
Descripción	H2PAK-7
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) H2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT018H65G3AG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	55A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	79.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2124 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	385W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA