Name: SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT011HU75G3AGTR-ND
Price: 25.9545 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SCT011HU75G3AG
N.º de producto de DigiKey	497-SCT011HU75G3AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCT011HU75G3AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCT011HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT011HU75G3AG
Descripción	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 750 V 110A (Tc) 652W (Tc) HU3PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	750 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	110A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 80A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3860 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	652W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	HU3PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	SCT011H