Name: S2M0016120D-1
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0016120D-1-ND
Price: 17.8838 EUR
Availability: InStock

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S2M0016120D-1
N.º de producto de DigiKey	1655-S2M0016120D-1-ND
Fabricante	SMC Diode Solutions
Número de pieza del fabricante	S2M0016120D-1
Descripción	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 140A (Tc) 517W (Tc) TO-247AD
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	SMC Diode Solutions
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	140A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 75A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 23mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	285 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4540 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	517W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	14,78000 €	14,78 €
10	10,48800 €	104,88 €
300	7,99033 €	2.397,10 €

Paquete estándar del fabricante

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