
GCMX2P3B120S3B1-N | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1560-GCMX2P3B120S3B1-N-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMX2P3B120S3B1-N |
Descripción | GEN3 1200V 2.4M SIC 62MM HALF BR |
Plazo estándar del fabricante | 6 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 608A (Tc) 1705W (Tc) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | SemiQ | |
Serie | ||
Embalaje | Caja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 608A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 3mOhm a 300A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 120mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 1566nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 42900pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 1705W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 142,82000 € | 142,82 € |
| 15 | 119,96333 € | 1.799,45 € |
| Precio unitario sin IVA: | 142,82000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 172,81220 € |



