Name: GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Price: 203.0985 EUR
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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GCMX005A120S3B1-N
N.º de producto de DigiKey	1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Fabricante	SemiQ
Número de pieza del fabricante	GCMX005A120S3B1-N
Descripción	1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 424H (Tc) 1.531kW (Tc) Montaje de chasis
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	SemiQ
Serie	QSiC™
Embalaje	Caja
Estado de pieza	Activo
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	424H (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7mOhm a 200A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 80mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	901nC a 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	26400pF a 800V
Potencia - Máx.	1.531kW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	-