Name: SCT2160KEHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2160KEHRC11-ND
Price: 20.1586 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) TO-247N

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SCT2160KEHRC11
N.º de producto de DigiKey	846-SCT2160KEHRC11-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT2160KEHRC11
Descripción	1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) TO-247N
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	208mOhm a 7A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1200 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247N
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	SCT2160

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	16,66000 €	16,66 €
30	11,60800 €	348,24 €
120	11,57467 €	1.388,96 €

Paquete estándar del fabricante

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