Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 0.8954 EUR
Availability: InStock

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RQ3G100GNTB
N.º de producto de DigiKey	RQ3G100GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ3G100GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3G100GNTB
Descripción	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 10H (Ta) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ3G100GNTB Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.4 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 615 pF @ 20 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14.3mOhm a 10A, 10V	Número de producto base RQ3G100

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
PJQ4448P_R2_00001	Panjit International Inc.	3	3757-PJQ4448P_R2_00001CT-ND	0,67000 €	Similar

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