Name: SISA72ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA72ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4157 EUR
Availability: OutOfStock

SISA72ADN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SISA72ADN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISA72ADN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISA72ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISA72ADN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 25.4A (Ta), 94A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SISA72ADN-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25.4A (Ta), 94A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.25mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2530 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SISA72

Precio unitario sin IVA:	1,17000 €
Precio unitario con IVA:	1,41570 €

SISA72ADN-T1-GE3