RQ3E120ATTB
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RQ3E120ATTB
8 HSMT

RQ3E110AJTB

N.º de producto de DigiKey
RQ3E110AJTBTR-ND - Cinta y rollo (TR)
RQ3E110AJTBCT-ND - Cinta cortada (CT)
RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RQ3E110AJTB
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Plazo estándar del fabricante
21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
RQ3E110AJTB Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11A (Ta), 24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11.7mOhm a 11A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1500 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3E110
Preguntas y respuestas sobre el producto

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En stock: 13.125
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
10,99000 €0,99 €
100,62000 €6,20 €
1000,40710 €40,71 €
5000,31550 €157,75 €
1.0000,28601 €286,01 €
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.0000,24856 €745,68 €
6.0000,22969 €1.378,14 €
9.0000,22008 €1.980,72 €
15.0000,20945 €3.141,75 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:0,99000 €
Precio unitario con IVA:1,19790 €