Name: RH6N040BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6N040BHTB1TR-ND
Price: 2.3958 EUR
Availability: InStock

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RH6N040BHTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RH6N040BHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RH6N040BHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RH6N040BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RH6N040BHTB1
Descripción	NCH 80V 40A, HSMT8, POWER MOSFET
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 65A (Ta), 40A (Tc) 2W (Ta), 59W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.3mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1530 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,56402 €	1.692,06 €
6.000	0,54737 €	3.284,22 €

Precio unitario sin IVA:	1,98000 €
Precio unitario con IVA:	2,39580 €

RH6N040BHTB1