Name: RF9P120BLFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BLFRATCRTR-ND
Price: 1.6335 EUR
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

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RF9P120BLFRATCR
N.º de producto de DigiKey	846-RF9P120BLFRATCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RF9P120BLFRATCRCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RF9P120BLFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RF9P120BLFRATCR
Descripción	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 12A (Tc) 23W (Tc) DFN2020Y7LSAA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	61mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 843µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	360 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN2020Y7LSAA
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN