Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND
Price: 1.3431 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) PG-TSDSON-8-32

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IAUZ18N10S5L420ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUZ18N10S5L420ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Tc) 30W (Tc) PG-TSDSON-8-32
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUZ18N10S5L420ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 470 pF @ 50 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 30W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-32
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 9A, 10V	Número de producto base IAUZ18
Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 8µA