IPAN80R280P7XKSA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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Infineon Technologies

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IPAN80R280P7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPAN80R280P7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPAN80R280P7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 17H (Tc) 30W (Tc) PG-TO220-3-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPAN80R280P7XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 360µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200 pF @ 500 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 30W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-FP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPAN80
Rds On (máx) @ Id, Vgs 280mOhm a 7.2A, 10V