Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.203 EUR
Availability: InStock

TP65H150G4LSG
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H150G4LSG
Descripción	GAN FET N-CH 650V PQFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) 3-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TP65H150G4LSG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 8.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.8V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	598 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	3-PowerTDFN
Número de producto base	TP65H150

Precio unitario sin IVA:	4,30000 €
Precio unitario con IVA:	5,20300 €

TP65H150G4LSG