Name: CGD65B240SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B240SH2TR-ND
Price: 5.929 EUR
Availability: InStock

CGD65B240SH2
N.º de producto de DigiKey	4768-CGD65B240SH2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 4768-CGD65B240SH2CT-ND - Cinta cortada (CT) 4768-CGD65B240SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Número de pieza del fabricante	CGD65B240SH2
Descripción	650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 7A 8-DFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Serie	ICeGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	336mOhm a 500mA, 12V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 2.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.2 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	+20V, -1V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN

Precio unitario sin IVA:	4,90000 €
Precio unitario con IVA:	5,92900 €

CGD65B240SH2