Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.3888 EUR
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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NP100P06PDG-E1-AY
N.º de producto de DigiKey	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Cinta cortada (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	NP100P06PDG-E1-AY
Descripción	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NP100P06PDG-E1-AY Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	15000 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	NP100P06