Name: NP100P04PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P04PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.7881 EUR
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) TO-263

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NP100P04PDG-E1-AY
N.º de producto de DigiKey	559-NP100P04PDG-E1-AYTR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-NP100P04PDG-E1-AYCT-ND - Cinta cortada (CT) 559-NP100P04PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	NP100P04PDG-E1-AY
Descripción	MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NP100P04PDG-E1-AY Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 320 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15100 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm a 50A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA	Número de producto base NP100P04