Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD12N06RLESM9ATR-ND
Price: 1.7908 EUR
Availability: InStock

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RFD12N06RLESM9A
N.º de producto de DigiKey	RFD12N06RLESM9ATR-ND - Cinta y rollo (TR) RFD12N06RLESM9ACT-ND - Cinta cortada (CT) RFD12N06RLESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	RFD12N06RLESM9A
Descripción	MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 18H (Tc) 49W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie UltraFET™	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 485 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 49W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base RFD12N06
Rds On (máx) @ Id, Vgs 63mOhm a 18A, 10V

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.500	0,37792 €	944,80 €
5.000	0,35098 €	1.754,90 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,48000 €
Precio unitario con IVA:	1,79080 €

RFD12N06RLESM9A