Name: NVTFS5116PLWFTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND
Price: 2.2748 EUR
Availability: InStock

NVTFS5116PLWFTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVTFS5116PLWFTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVTFS5116PLWFTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVTFS5116PLWFTWG
Descripción	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVTFS5116PLWFTWG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1258 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.2W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NVTFS5116

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,46531 €	2.326,55 €
10.000	0,46472 €	4.647,20 €

Precio unitario sin IVA:	1,88000 €
Precio unitario con IVA:	2,27480 €

NVTFS5116PLWFTWG